[发明专利]一种有机硅阴离子表面活性剂及其合成方法无效
| 申请号： | 02136615.2 | 申请日： | 2002-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1439452A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 夏建俊;王利民;田禾;龚荣蓉;王志斌。 | 申请（专利权）人： | 上海制皂有限公司;华东理工大学 |
| 主分类号： | B01F17/54 | 分类号： | B01F17/54 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 200090*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种有机硅阴离子表面活性剂及其合成方法，其结构通式如右式：该有机硅阴离子表面活性剂合成方法为：合成氨烃基聚硅氧烷，经缩合反应将氨烃基聚硅氧烷引入亲水基。本发明的优点是所用的原料易得，价格低廉，反应条件简单易行，收率较高，易于工业化生产。该表面活性剂具有乳化，分散，润湿，抗静电，消泡，稳泡，起泡，柔软、滑爽等性能，可用于日化、食品、生物工程、轻工、纺织、石油化工、电子、医药、农药等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机硅 阴离子 表面活性剂 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机硅阴离子表面活性剂，其特征在于具有如下的结构通式：式中：m＝10-2000，n＝1-200R＝CH2CH2CH2NHZCH2NHCH2CH2NHZCH2CH2CH2NHCH2CH2NHZ(CH2)3NHCH2CH2NHCH2CH2NHZZ＝CH2CHOHCH2SO3MC2H4SO3MCH2CHOHCH2OPO3MCH2CH2CH2SO3MM＝Na、K，NH4
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