[发明专利]一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法无效

专利信息
申请号: 02132623.1 申请日: 2002-07-18
公开(公告)号: CN1469120A 公开(公告)日: 2004-01-21
发明(设计)人: 王辉;盖宏伟;白吉玲;林炳承 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: G01N27/447 分类号: G01N27/447;G01N33/50;G01N33/543
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 代理人: 张晨
地址: 116023*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种聚合物芯片微通道内表面预处理的方法,其特征在于:在使用前对聚合物芯片进行预电泳以改变微通道内表面的性质,使微通道内电渗流的大小或方向改变;预电泳时将表面活性剂添加在运行缓冲液中,表面活性剂包括:阴离子表面活性剂,阳离子表面活性剂,两性离子表面活性剂,中性分子表面活性剂。本发明方法可以根据芯片毛细管电泳分离的需要,对芯片微通道内表面进行预处理,随意调节聚合物芯片微通道内电渗流的大小包括方向。
搜索关键词: 一种 聚合物 芯片 通道 表面 处理 方法
【主权项】:
1、一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法,其特征在于:在使用前对聚合物芯片进行予电泳以改变微通道内表面的性质,使微通道内电渗流的大小或方向改变;予电泳时将表面活性剂添加在运行缓冲液中,表面活性剂包括:阴离子表面活性剂,选自癸烷疏酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、十四烷基硫酸钠、聚氧乙烯十二烷醚硫酸钠、N-月桂酰-N-甲基牛磺酸钠、N-十二烷基-L-缬氨酸钠、胆酸、脱氧胆酸、牛磺胆酸、全氟庚酸钾之一种或多种;阳离子表面活性剂,选自十二烷基三甲基氯化铵、十二甲基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵之一种或多种;两性离子表面活性剂,选自胆酰胺丙基二甲基氨基丙磺酸、胆酰胺丙基二甲基氨基-2-羟基丙磺酸之一种或多种;中性分子表面活性剂,选自聚氧化乙烯-23-十二烷基醚、辛基葡萄糖苷、十二烷基-β-D-麦芽糖苷、Triton X-100之一种或多种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院大连化学物理研究所,未经中国科学院大连化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02132623.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top