[发明专利]具有高比表面积介孔结构氧化物材料及制备方法无效
| 申请号： | 02132455.7 | 申请日： | 2002-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1396115A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孙印勇;原利娜;肖丰收 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B37/00 | 分类号： | C01B37/00;C01B39/04 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的具有高比表面积介孔结构氧化物材料及制备方法属无机化学与物理化学领域。材料由SiO2－Al2O3－MXOY组成，其中Al/Si＝∝－1，Si/M＝∝－20，M为金属元素，介孔变化范围为20－200，孔容在0.6～2.5cm3/g，比表面积在350～700m2/g。制备的工艺过程是将金属氧化物或含硅金属复合氧化物在表面活性剂的存在下在30～80℃放置6～10小时，然后水解制备出前驱体；再经两步老化、两步煅烧制得介孔结构氧化物材料。本发明的工艺简单，适合生产；制得的介孔结构氧化物具有高比表面积和较大的孔径，催化活性高；作为吸附剂、催化剂及催化剂载体在化工领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面积 结构 氧化物 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有高比表面积介孔结构氧化物材料，其特征是，由SiO2-Al2O3-MXOY组成，其中Al/Si＝∝-1，Si/M＝∝-20，M＝Fe3+，Co2+，Ga3+，Ti4+，V4+，Zn2+，Zr4+；这些氧化物材料的介孔变化范围为20-200，孔容在0.6～2.5cm3/g，比表面积在350～700m2/g。
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