[发明专利]具有软基准层的磁阻器件有效
| 申请号： | 02132343.7 | 申请日： | 2002-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1466148A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;M·沙马 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁阻器件(10)包括具有不同矫顽磁性的第一和第二铁磁层(12和14)以及第一和第二层(12和14)之间的隔离层(16)。每个铁磁层(12和14)具有在两个方向中的任何一个取向的磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基准 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件(10)，包括：具有不同矫顽磁性的第一和第二铁磁层(12和14)，每个铁磁层具有可以在两个方向中的任何一个取向的磁化；以及第一和第二铁磁层之间的隔离层(16)。
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