[发明专利]磁随机存取存储器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 02128682.5 申请日: 2002-08-12
公开(公告)号: CN1426065A 公开(公告)日: 2003-06-25
发明(设计)人: 朴玩濬;金泰完;宋利宪;朴祥珍;理查德·J·甘比诺 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/15 分类号: G11C11/15;H01L27/105
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒,魏晓刚
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括:数据存储单元,该单元包括固定层、非磁性层和自由层;数据输入单元,该单元与该自由层的两端电连接,用于将电流施加到该自由层上,以将数据输入至数据存储单元内;以及数据输出单元,该单元与自由层和固定层电连接,以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此,该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
搜索关键词: 随机存取存储器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁随机存取存储器,包括:数据存储单元,该单元包括固定层、非磁性层和自由层;数据输入部件,该部件与该自由层的两端电连接,用于将电流施加到该自由层上,以将数据输入至数据存储单元内;以及数据输出部件,该部件与自由层和固定层电连接,以将存储在数据存储单元中的数据输出。
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