[发明专利]形成阻障层的方法有效
| 申请号： | 02127314.6 | 申请日： | 2002-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1448999A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 黄俊智;陈太郎 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成应用于具有高高宽比接触/介层开口的钛/氮化钛层的方法，在利用离子金属等离子体形成一钛层，以及利用金属有机化学气相沈积法沉积一氮化钛层之前，实施一气体稳定步骤，提供一氢气、一氦气、一反应源以及一传送气体以调整压力，在沉积氮化钛之前利用气体稳定步骤中的氢气减低电阻电容(RC)迟带及阻障层的反射系数，因而改善接触/介层插塞及器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 阻障 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成阻障层的方法，应用于一介层开口，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上具有一零件层，其中该零件层至少包括一金属质层；在该零件层上形成一已定义的中间层，其中该已定义的中间层具有至少一个曝露出该金属质层一部分的开口；形成一与该开口的轮廓共形的金属层；实施一第一气体稳定步骤以调整压力，在该第一气体稳定步骤中提供一氢气、一氦气、一反应源以及一传送气体；在实施该第一气体稳定步骤后，在该金属层上利用该反应源及该传送气体沉积一第一氮化钛层；实施一第一等离子体处理工艺，以移除该第一氮化钛层的一部分；实施一第二气体稳定步骤以调整压力，在该第二气体稳定步骤中提供该氢体、该氦气、该反应源以及该传送气体；在实施该第二气体稳定步骤后，在剩余的该第一氮化钛层上沉积一第二氮化钛层；实施一第二等离子体处理工艺，以移除该第二氮化钛层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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