[发明专利]栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法有效
申请号: | 02127141.0 | 申请日: | 2002-07-25 |
公开(公告)号: | CN1471148A | 公开(公告)日: | 2004-01-28 |
发明(设计)人: | 张明成;林正平 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 楼仙英;潘培坤 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法,其中主动区具有第一、第二侧边,第一至第N栅极结构互距一既定间隔地设置该主动区上,且上述第一、第N栅极结构与上述第一、第二侧边皆预定要重叠一既定宽度,该方法包括:提供一矩形掺杂区,设置于上述第一至第N栅极结构的下方,且具有一第一、第二测试边,分别对齐于上述主动区的第一、第二侧边;施加一第一电压至第一测试边上方的第一栅极结构,并且将位于第二测试边上的第N栅极结构接地;测量第一电压在掺杂区上的分压;根据分压,判断上述第一及第N栅极结构与上述第一测试边及第二测试边是否有偏移及产生的重叠偏移量ΔW。 | ||
搜索关键词: | 栅极 结构 主动 重叠 偏移 测量方法 | ||
【主权项】:
1.一种栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法,其中一主动区具有一第一、第二侧边,一第一至第N栅极结构互距一既定间隔地设置在该主动区上,上述第一栅极结构位于上述主动区的第一侧边之上,而上述第N栅极结构位于上述主动区的第二侧边之上,并且上述第一、第N栅极结构与上述第一、第二侧边皆预定要重叠一既定宽度,该方法包括:提供一矩形掺杂区,设置于上述第一至第N栅极结构的下方,且具有一第一、第二测试边,分别对齐于上述主动区的第一、第二侧边,其中上述第一测试边以及上述主动区的第一侧边同样与上述第一栅极结构重叠上述既定宽度,并且上述第二测试边以及上述主动区的第二侧边同样与上述第N栅极结构重叠上述既定宽度;施加一第一电压至位于上述第一测试边上方的第一栅极结构,并且将位于上述第二测试边上的第N栅极结构接地;测量上述第一电压于上述掺杂区上的分压;根据上述分压,判断上述第一及第N栅极结构与上述第一测试边及第二测试边是否有偏移;若产生偏移时,根据上述分压、上述第一电压以及既定宽度,以计算出上述第一及第N栅极结构与上述主动区的第一、第二侧边的重叠偏移量ΔW。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02127141.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:引线框架、使用了它的半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造