[发明专利]在室温下制备二氧化钛薄膜的方法无效
| 申请号： | 02123896.0 | 申请日： | 2002-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1467305A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 翟锦;常琳;江雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;B01J21/06;B01J37/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于功能材料技术领域，特别涉及到一种在室温下制备二氧化钛薄膜的方法。利用真空溅射的方法将金属钛蒸镀成膜，然后通过电化学氧化的方法将此金属膜氧化成二氧化钛薄膜。此薄膜具有纳米级微孔结构，能够产生光电流和光电压。当其被染料敏化形成电池后，产生了明显的光电响应。该方法可以在多种导电基质上沉积二氧化钛薄膜，并实现染料敏化的固体或液体太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在室温下制备二氧化钛薄膜的方法，其特征是：所述的方法步骤如下：(1).将导电基片清洗干净，吹干；(2).将步骤(1)清洗干净的导电基片置于溅射仪中，控制镀膜时间在100秒-2000秒的范围内，将金属钛镀在导电基片上形成金属薄膜；(3).选择酸或碱的水溶液为电解质溶液，对步骤(2)镀有一层金属钛薄膜的导电基片进行电解氧化；(4).电解结束后取出薄膜，清洗干净，得到具有纳米级微孔结构的二氧化钛薄膜，其微孔在5-200nm之间。
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