[发明专利]下电极的制造方法

摘要

本发明提供一种下电极的制造方法，其步骤如下。在基底上形成具有电容器开口的氧化硅层，接着在氧化硅层的上表面和开口的侧壁和底部形成顺应性的导电层。之后在开口中填满光阻材质，并以此光阻材质为掩膜(mask)，移除氧化硅层的上表面上的顺应性的导电层，使其转为冠状导电层。之后移除氧化硅层，以暴露出冠状导电层的外侧表面，此时光阻材质仍位于开口内保护冠状导电层的内侧表面。待氧化硅层移除后，再移除光阻材质以暴露出冠状导电层的内侧表面。

主权项

1.一种下电极的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一氧化硅层，其中具有一开口；在该氧化硅层的上表面和该开口的侧壁和底部形成一顺应性的导电层；在该开口中填满一光阻材质；以该光阻材质为掩膜(mask)，移除该氧化硅层的上表面上的该顺应性的导电层，以转为一冠状导电层；以该光阻材质保护该冠状导电层的内侧表面，移除该氧化硅层以暴露出该冠状导电层的外侧表面；以及移除该光阻材质以暴露出该冠状导电层的内侧表面。