[发明专利]半导体器件和硅基膜的形成方法无效
| 申请号： | 02121842.0 | 申请日： | 2002-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1384552A | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 近藤隆治;冈部正太郎;佐野政史;酒井明;林享;杉山秀一郎 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/18;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其特征是,至少一层硅基膜含微晶,微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其中至少一层硅基膜含微晶,膜中的微晶取向特征按其膜厚方向变化。为了提供价格便宜的有优良性能的硅基膜,本发明提供一种具有优良特性,生产周期缩短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括该硅基膜,有优良附着力和优良的耐环境性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 硅基膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件，其中，至少一层硅基膜含微晶，含微晶的硅基膜中的微晶的取向特征在含微晶的硅基膜的膜厚方向上变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
