[发明专利]假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02116140.2 | 申请日： | 2002-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1428870A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 金海千;朴敏;文载京;邢昌熙;池弘九;安浩均 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在双平面搀杂外延生长衬底上形成的、并可用单一电源电压工作的假同晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件，及其制造方法。该PHEMT功率器件包括：一外延生长的衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上的一GaAs缓冲层、一AlGaAs/GaAs超晶格层、一未搀杂的AlGaAs层、第一搀杂硅层、第一隔离衬、一InGaAs电子输运层、第二隔离衬、具有与第一搀杂硅层不同的搀杂浓度的第二搀杂硅层、一轻度搀杂的AlGaAs层、以及一无搀杂的GaAs封盖层；在该无搀杂的GaAs封盖层上形成、并与其形成欧姆接触的一源电极和一漏电极；以及在该轻度搀杂的AlGaAs层上形成的延伸穿过该无搀杂GaAs封盖层的一栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种假同晶高电子迁移率晶体管功率器件，包括：一外延生长衬底，该衬底包括依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上的一GaAs缓冲层、一AlGaAs/GaAs超晶格层、一未搀杂的AlGaAs层、第一搀杂硅层、第一隔离衬、一InGaAs电子输运层、第二隔离衬、具有与第一搀杂硅层不同的搀杂浓度的第二搀杂硅层、一轻度搀杂的AlGaAs层、以及一无搀杂的GaAs封盖层；在该无搀杂的GaAs封盖层上形成、并与它形成欧姆接触的一源电极和一漏电极；以及在该轻度搀杂的AlGaAs层上形成的延伸穿过该无搀杂的GaAs封盖层的一栅电极。
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