[发明专利]应力补偿的复合层可协变衬底及制备方法无效
| 申请号： | 02111895.7 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1462058A | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 黄风义 | 申请（专利权）人： | 黄风义 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201204 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备外延晶体薄膜的方法，包括在衬底上形成应力补偿的复合层结构的可协变缓冲层，再在其上生长外延晶体的方法。其中复合层薄膜位于非晶层之上，复合层的两层薄膜材料的晶格常数分别大于和小于在其上生长的外延晶体的晶格常数。复合层通过晶体协变，两层薄膜将达到一个共同的晶格常数。适当选择复合层薄膜的材料，可以使共同的晶格常数匹配其上生长的外延薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 补偿 复合 层可协变 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体薄膜的生长方法，该方法包括在硅的晶体衬底上先形成非晶隔离层的界面层，在隔离层上形成晶格常数不同的复合结构缓冲层，并适当调整其厚度使其协变后平衡时的晶格常数和随后要生长的外延材料的晶格常数相匹配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄风义，未经黄风义许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02111895.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：汽车挂袋(蓝色条纹)
- 下一篇：塑料盒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
