[发明专利]只读存储器的制造方法

摘要

一种只读存储器的制造方法，此方法提供具有存储单元区与周边电路区的基底，其中存储单元区已形成存储单元阵列，周边电路区已形成多个晶体管。然后于存储单元区形成具有多个第一开口的精准层，上述第一开口位于存储单元阵列的每一存储单元的信道区上方并具有相同的关键尺寸。接着，于基底上形成具有多个第二开口与第三开口的罩幕层，上述第二开口位于存储单元区的多个欲编码存储单元区上方，且上述第三开口位于周边电路区的晶体管的栅极上方。之后，以精准层与罩幕层为罩幕，进行一离子植入工艺，以对欲编码存储单元区内的存储单元进行编码并对晶体管进行临限电压调整。

主权项

1、一种只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底，该基底具有一存储单元区与一周边电路区，其中该存储单元区已形成一存储单元阵列，该周边电路区已形成多个晶体管；于该存储单元区上形成一精准层，该精准层具有多个第一开口，该些第一开口具有相同关键尺寸，且各该第一开口位于该存储单元阵列的每一存储单元的通道区上方；于该基底上形成一罩幕层，该罩幕层具有多个第二开口与多个第三开口，该些第二开口位于该存储单元区的多个欲编码存储单元区上方，其中各该欲编码存储单元区包括多个欲编码存储单元，该些第三开口位于该周边电路区的该些晶体管的栅极上方；以及以该精准层与该罩幕层为罩幕，进行一离子植入工艺，以对该些欲编码存储单元区内的该些欲编码存储单元进行编码并对该些晶体管进行临限电压调整。