[发明专利]内容寻址存储器单元无效
| 申请号： | 02106207.2 | 申请日： | 2002-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1381849A | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 理查德·福斯 | 申请（专利权）人： | 睦塞德技术公司 |
| 主分类号： | G11C15/00 | 分类号： | G11C15/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种三态内容寻址存储(CAM)单元,包括一对静态随机存取存储(SRAM)单元,它们每个都包括一对用于存储数据值的交叉连接的反相器,和一对用于存取位线互补对的存取器件。CAM单元进一步包括一对比较电路,各用于比较被存储在所述SRAM单元中的所述数据值和在相应搜索线上提供的搜索数据值。CAM单元有相等数目的n沟道器件和P沟道器件。CAM单元用P沟道晶体管作为至SRAM单元的存取晶体管,以改善单元阵列的布局效率。这种实现,确保每个单元有均衡数目的P沟道和n沟道器件,同时仍提供优良的功能特征。 | ||
| 搜索关键词： | 内容 寻址 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种三态内容寻址存储(CAM)半单元，其中包括：(a)静态随机存取存储(SRAM)单元，其具有i一对用于存储数据值的交叉连接的反相器；和ii一对存取器件，每个被连接在所述交叉连接的反相器和一对互补的位线的有关之一之间，所述存取器件用于存取所述互补的位线对；(b)比较电路，其用于比较被存储在所述SRAM单元中的所述数据值和在搜索线上提供的搜索数据值，所述CAM半单元具有相等数目的n沟道和P沟道器件。
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