[发明专利]半导体激光器件有效
| 申请号： | 02105969.1 | 申请日： | 2002-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1380726A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 东條剛;内田史朗;喜嶋悟 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III－V族组合物半导体激光器件,其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即,在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外,该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p－AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度,确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级,并且抑制高阶水平横向模式,较大的有效折射率差值Δn,以及较大的θ”数值,而不需减小凸脊的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种凸脊波导形半导体激光器件，其中包括：形成在至少上包层的上部分中的凸脊，其中由基本上对于振荡波长透明的绝缘膜和形成在该绝缘膜上吸收振荡波长的吸收膜所构成的叠层薄膜形成在该凸脊的两侧上以及在从该凸脊的底部向两侧延伸的上包层上，电极膜通过在叠层薄膜中的开窗电连接到凸脊的上表面，并且绝缘膜和吸收膜具有各自的厚度，使得高阶水平横向模式的吸收系数大于基本水平横向模式的吸收系数。
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