[发明专利]防止抗蚀剂中图象毁坏的显影剂/漂洗液的组成无效
| 申请号： | 02104699.9 | 申请日： | 2002-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1372168A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·A.·麦西克;韦恩·M.·摩里奥;克里斯托弗·F.·罗宾逊 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种显影例如半导体晶片的电子元件衬底上的光致抗蚀剂图案的装置与方法。此方法与装置使用一个专门规定的显影剂合成物,后随一个专门规定的漂洗液合成物以显影经曝光的抗蚀剂图案然后漂洗经显影的图案。显影剂合成物与漂洗液合成物都含有负离子表面活化剂,且当按次序使用这两种溶液时,发现了即使当形成例如线宽小于150nm而高宽比大于3左右的小特征时仍能提供防止图象毁坏的抗蚀剂图案。优选使用搅拌显影与搅拌漂洗处理以显影与漂洗经曝光的晶片。优选的负离子表面活化剂是全氟烷基磺酸铵与含氟烷基羧酸铵。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 抗蚀剂中 图象 毁坏 显影剂 漂洗 组成 | ||
【主权项】：
1.一种显影电子元件衬底上的光致抗蚀剂图案以防止显影图案毁坏的方法，包括步骤：在电子元件衬底上涂覆一层光致抗蚀剂膜；使光致抗蚀剂膜曝光于预定的图案；对曝光的光致抗蚀剂膜供给显影剂合成物以显影光致抗蚀剂的图案，此显影剂合成物含有一种其含量足以防止图案毁坏的负离子表面活化剂；显影光致抗蚀剂膜以形成预定的光致抗蚀剂图案并保持衬底是湿的；在湿的显影衬底上供给漂洗水溶液，此漂洗水溶液包括去离子水与一种其含量足以防止图案毁坏的负离子表面活化剂；漂洗经显影的衬底；以及干燥经显影的衬底以形成其上面有预定的光致抗蚀剂图案的电子元件衬底。
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