[发明专利]MOS晶体管栅角的增强氧化方法无效
| 申请号： | 01823254.X | 申请日： | 2001-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1529906A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | O·多库马丝;O·格鲁斯臣科夫;S·G·赫德杰;R·卡普兰;M·克哈尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种在不显著增加整个加工方案的热预算的情况下增强晶体管栅角氧化速率的方法，具体地说，本发明的方法包括：将离子注入到含Si晶体管的栅角中，将包括被注入的晶体管栅角的晶体管暴露于氧化环境。该注入步骤中采用的离子包括：Si；非氧化抑制离子例如O、Ge、As、B、P、In、Sb、Ga、F、Cl、He、Ar、Kr、Xe；及它们的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 增强 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于氧化晶体管栅角的方法，包括步骤：(a)将离子注入到含Si晶体管的栅角中，其中所述离子选自由非氧化抑制离子、Si离子及其混合物构成的组，和(b)将包括被注入的晶体管栅角的含Si晶体管暴露于氧化环境。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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