[发明专利]具非挥发记忆胞元配置之集成内存以及制造和操作该集成内存的方法无效
| 申请号： | 01819422.2 | 申请日： | 2001-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1476615A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | G·米勒;T·施勒施塞 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明揭示一种含有以铁磁性储存为基础之一非挥发内存胞元配置集成内存，包括拥有具晶体管控制的一磁阻效应之强力内存胞元(1)，以及拥有一磁阻效应并在字符线(70)与位线(50)间连接了内存组件(60)的高成本效益内存胞元(2)。直接连接在位线与字符线间的该内存组件(60)最好系植入内存胞元数组中，该内存胞元数组可在含有晶体管(9)的内存胞元(1)之上逐一堆栈，从而达到一高集成密度。包括以上两种类型并从而能满足所有系统需求的该内存，其能制造于一模块并于一制造程序中生产的事实，将大幅降低其生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 记忆 配置 集成 内存 以及 制造 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有非挥发内存胞元(1、2)配置的集成内存，其至少包括具有磁阻效应的一第一及一第二内存胞元，在每一状况中皆系配置于横向相交的位线(30、50)与字符线(15、70)间之交会点处，其中(a)具有磁阻效应的该内存胞元(1)包含一晶体管(9)，该晶体管可由该字符线驱动，且于存取该具有磁阻效应的第一内存胞元(1)时，与该位线(30)及相关的内存组件(20)形成一电流路径，以连接至一供电或接地电位(14)，以及(b)具有磁阻效应的该第二内存胞元(2)之内存组件(60)系连接于位线(50)与字符线(70)之间。
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