[发明专利]研磨装置及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 01817920.7 | 申请日： | 2001-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1471726A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 松川英二 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04;B24B49/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的研磨装置1由盒转位单元100、清洗单元200、研磨单元300和进行研磨装置的整体控制的控制装置构成，从放置在盒转位单元中的载片盒中向研磨单元300顺序传送未加工晶片，利用研磨臂311下端的研磨垫进行研磨加工，研磨加工完了的晶片利用传送机械手360、150等传送存放于载片盒C4中。控制装置在研磨垫修整期间由晶片表面状态检测器50a对晶片的微观表面状态进行计测，根据该计测结果修正研磨条件。由此，可以在不降低研磨装置的处理量的情况下计测基片的研磨状态并以高原料成品率获得高精度研磨加工。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨装置，具有保持基片的卡具和研磨上述基片的研磨部件，利用研磨部件对保持于上述卡具中的上述基片表面进行研磨加工，其特征在于具备：计测上述基片表面状态的表面状态测定单元，和根据预先设定的控制顺序对上述研磨装置的动作进行控制的控制装置，其中，上述控制装置在上述控制顺序的间隙时间、用上述表面状态测定单元对上述基片的多个位置的表面状态进行计测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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