[发明专利]研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件有效
| 申请号： | 01817897.9 | 申请日： | 2001-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1471725A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 松川英二 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04;B24B49/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在晶片2的研磨中，使光源21发出的测定光照射到晶片2上，用线性传感器31检测其反射光的分光强度。信号处理部11按照传感器31来的检测信号，监视晶片2的研磨状况，检测晶片2的研磨终点。快门机构控制部14响应信号处理部11来的研磨终点检测信号，控制快门机构13的电机13b，使遮光部件13a进出测定光的光路，对晶片2遮断测定光。因此，能够降低研磨状况监视用的测定光给研磨对象物造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 状况 监视 方法 及其 装置 半导体器件 制造 以及 | ||
【主权项】：
1.一种研磨状况监视方法，是使测定光照射研磨对象物，根据通过上述测定光的照射由上述研磨对象物获得的光，在其研磨中监视上述研磨对象物的研磨状况，其特征是在测定上述研磨对象物的研磨终点后，对上述研磨对象物遮断或减弱上述测定光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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