[发明专利]刻蚀方法及在这种刻蚀中使用的框架部件、掩模及预制的基板部件无效
| 申请号： | 01817644.5 | 申请日： | 2001-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1469941A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 佩·比德森;比加尼·比加纳森;米凯尔·加斯塔夫森;詹尼·斯乔伯格;斌·谢;加斯特·比令斯;乔兰·弗莱尼森 | 申请（专利权）人： | 奥博杜卡特股份公司 |
| 主分类号： | C25F3/14 | 分类号： | C25F3/14;H05K3/07 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 在刻蚀具有导电材料的表面层(3)的基板(1)的方法中，通过电化学刻蚀使电路图形转移到基板(1)的中心表面区域部分(4)中的表面层(3)。为防止在电化学刻蚀步骤期间在中心表面区域部分(4)的周边形成过量的电流密度，在中心表面区域部分(4)的附近提供用于吸引电场的框架(9)。框架(9)可以是与部件分开在刻蚀步骤之前放置在基板(1)上的部分，或者和基板(1)上的抗蚀剂涂层成一体。可以通过任何合适方式，例如通过用合适框架图形的掩模进行光刻曝光从而将框架(9)转移到抗蚀剂涂层。此外，框架(9)可以和刻蚀步骤中电路图形转移至的预制基板部件成一体。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 这种 使用 框架 部件 预制 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，包括以下步骤：在具有导电材料的表面层(3)的基板(1)上涂覆抗蚀剂涂层；在基板(1)的中心表面区域部分(4)中按限定的电路图形除去抗蚀剂涂层；以及电化学地刻蚀所述中心表面区域部分(1)，由此将所述电路图形转移到所述表面层(3)，特征在于在所述中心表面区域部分(4)附近提供框架(9)，所述框架(9)用于吸引电场，并由此防止电化学刻蚀期间在所述中心表面区域部分(4)的周边形成过量的电流密度。
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