[发明专利]具有独立消磁场的大磁阻传感器无效
| 申请号： | 01815809.9 | 申请日： | 2001-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1459094A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈路君;J·H·朱斯蒂;J·J·弗南德兹德卡斯特罗 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/02;G01R33/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明针对用于数据存储系统(100)中的旋阀传感器(140)，它适合于接收检测电流(I)并为响应所加的磁场而产生GMR效应。旋阀传感器(140)包含第一和第二铁磁自由层，位于该第一和第二铁磁自由层150和152之间的隔离层，以及偏置部件。第一铁磁自由层(150)当处于静(未偏置)态时在第一方向上具有磁化强度(M1)。第二铁磁自由层(152)当处于静(未偏置)态时在反平行于第一方向的第二方向上具有磁化强度(M2)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 消磁 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种与数据存储系统一起应用的旋阀传感器，为响应所加磁场而产生大磁阻(GMR)效应，其特征在于，所述传感器包括：检测电流(I)，它在纵向上水平取向；第一铁磁自由层，当其处于静态时，在与检测电流的纵向对准的第一方向上具有磁化强度(M1)；第二铁磁自由层，当其处于静态时，在与所述第一方向反平行的第二方向上具有磁化强度(M2)；隔离层，位于第一与第二铁磁自由层之间；偏置部件，它在与所述第一和第二方向垂直的第三方向上产生使M1和M2都偏置的偏置磁场，从而建立M1和M2的静偏置态；以及其中，当所述第一和第二铁磁自由层处于静态时，M1产生在第二方向上偏置M2的第一消磁场，M2产生在第一方向上偏置M1的第二消磁场，而且为响应所加磁场，M1和M2绕其静偏置态旋转，从而由M1和M2旋转作用的结果在传感器中产生GMR效应。
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