[发明专利]薄膜稀土族永久磁铁及其制造方法有效
| 申请号： | 01813148.4 | 申请日： | 2001-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1443357A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 山下治;槙田显 | 申请（专利权）人： | 住友特殊金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/12 | 分类号： | H01F10/12;H01F1/04;C23C14/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,关兆辉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明之目的在于，提供一种可以使利用气相生长形成的薄膜在层叠方向上各向异性化的薄膜稀土族永久磁铁及其制造方法，通过在具有平面平滑性的非磁性材料的基片1上层叠稀土族元素的单原子层10后，多次重复原子层叠体单元13的形成操作，层叠多个构成特性的原子层叠体单元13，其中，该单元13是通过层叠设置层叠了多层过渡金属元素的单原子层11的过渡金属元素的原子层叠体12形成的，从而使各原子层叠体12在单原子层11的层叠方向上具有易磁化轴，并且抑制被稀土族元素的单原子层10，10夹着的抗磁区的产生，使产生强矫顽力，而且通过提高过渡金属元素对稀土族元素的含有比率，使残余磁通密度有了飞越性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 稀土 永久磁铁 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜稀土族永久磁铁，在由表面粗糙度为1.0μm以下的非磁性材料组成的基片上，具有1个或多个由在稀土族元素的单原子层上层叠了多层过渡金属元素的单原子层所构成的原子层叠体单元，并且在最上层的过渡金属元素的单原子层上具有1层以上的稀土族元素的单原子层。
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