[发明专利]局部改变晶体材料的电子和光电性能的方法以及由这种材料制造的器件有效
| 申请号： | 01810760.5 | 申请日： | 2001-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1433580A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | K·P·霍梅伍德;R·M·格威廉;G·邵 | 申请（专利权）人： | 萨里大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过包括由P型层(11)和N型层(12)形成的结(10)的辐射发射光电半导体器件说明一种由晶体材料制造的电子或光电器件，其中所述晶体材料的带隙特性参数通过在所述晶体材料晶格结构中原子尺度上引入形变而局部改变，而且所述器件的电子和/或光电参数取决于所述带隙的改变，其中P型层(11)和N型层(12)都由间接带隙半导体材料形成。P型层(11)包含位错环阵列，位错环产生了应变场以空间限定并促进电荷载流子的辐射复合。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 改变 晶体 材料 电子 光电 性能 方法 以及 这种 制造 器件 | ||
【主权项】：
1.一种由晶体材料制造的电子或光电器件，其中所述晶体材料的带结构特性参数通过在所述晶体材料晶格结构中原子尺度上引入形变而局部改变，并且带结构的改变的结果得到了所述器件的所期望的电子或光电参数。
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