[发明专利]调整等离子体加工系统中电极厚度的方法无效

专利信息
申请号: 01809396.5 申请日: 2001-05-08
公开(公告)号: CN1429399A 公开(公告)日: 2003-07-09
发明(设计)人: 埃里克·J·斯特朗;托马斯·F·A·比拜;韦恩·L·约翰逊 申请(专利权)人: 东京电子株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种调整等离子体加工系统(6)中能够维持反应室(16)中的等离子体(20、120)的电极组件(10)的相对厚度的方法。电极组件被布置在反应室中,并且包括至少一个具有已由至少一个牺牲保护板(100)限定的下表面的电极。由于在反应室中进行的等离子体加工作业的缘故,电极厚度不均匀。该方法包括下述步骤:形成用于有选择地在所述下表面蚀刻所述至少一个电极的等离子体(120),之后利用所述等离子体蚀刻所述至少一个电极,从而降低所述至少一个电极厚度(T(X,Z))方向的不均匀性。在工件的加工过程中以及在电极的恢复性等离子体蚀刻过程中,利用声换能器(210)可测量电极的厚度。
搜索关键词: 调整 等离子体 加工 系统 电极 厚度 方法
【主权项】:
1、一种调整等离子体加工系统中能够维持反应室中的等离子体的电极组件的相对厚度的方法,电极组件被布置在反应室中,并且包括至少一个由于在工件上进行的等离子体加工作业的缘故而导致厚度不均匀的电极,所述方法包括下述步骤:a)形成用于有选择地蚀刻第一种材料的等离子体;和b)利用等离子体蚀刻所述至少一个电极,从而使所述至少一个电极恢复均匀厚度。
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