[发明专利]基底噪声分配方法无效
申请号: | 01809389.2 | 申请日: | 2001-05-04 |
公开(公告)号: | CN1429403A | 公开(公告)日: | 2003-07-09 |
发明(设计)人: | A·利特文;J·舍斯特伦;A·敦卡斯 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H03M1/08;H04B15/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,梁永 |
地址: | 瑞典斯德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了通过采用噪声分配器,在包括差分或者平衡集成电路的高电阻率基底中进行噪声分配,从而抑制噪声的一种方法。通过在通常是两个集成晶体管(A、B)或者晶体管组形成的差分或者平衡集成电路附近产生一个低电阻率路径,让来自外界噪声源(5)的噪声相对于差分或者平衡集成电路的分支各向同性。一般情况下,这种低电阻率路径相对于集成晶体管是对称的,从而形成一个噪声分配器,用于均匀地分配噪声。于是形成的噪声分配器是与差分或者平衡电路中的基底或者井具有相同掺杂的浮地基底接触点(10)。除此以外,将通过对噪声分配低电阻率路径的结构进行仿真来优化噪声分配器的形状,这种结构不需要连续,只要维持低电阻率路径就行。 | ||
搜索关键词: | 基底 噪声 分配 方法 | ||
【主权项】:
1.在包括差分或者平衡集成电路的高电阻率基底中进行噪声分配的一种方法,其特征在于以下步骤:通过在形成差分或者平衡集成电路的每一对集成晶体管(A、B)或者晶体管组附近制作至少一个低电阻率路径(10),相对于差分或者平衡集成电路的分支,让已有的噪声源的噪声各向同性,低电阻率路径(10)相对于形成差分或者平衡集成电路的晶体管(A、B)或者晶体管组是对称的,从而形成噪声分配器,均匀地分配存在的噪声;提供噪声分配结构,形成与基底或者井具有相同种类掺杂的浮地接触点(10),在其中包括差分或者平衡电路,噪声分配结构(10,11)与电路其它节点没有连接,并且只要在形成差分或者平衡集成电路的每一对集成晶体管(A、B)或者晶体管对附近维持一组低电阻率的路径,就不需要连续。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造