[发明专利]制造电极的蚀刻方法无效
| 申请号： | 01809336.1 | 申请日： | 2001-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1429409A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | N·S·伦纳霍夫;J·拉姆 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国明尼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 采用一种方法在基底上形成基本上透明的电极，该方法包括依次在该基底上形成高指数底层、金属导电层和导电率至少约为40081/平方的高指数顶层，然后对所述高指数底层、高指数顶层和导电层进行化学蚀刻处理，在该金属导电层中形成分隔的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电极 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电极的方法，该方法包括：在基底上依次形成高指数底层、导电层和导电率至少约为40081/平方的高指数顶层；对所述高指数底层、高指数顶层和导电层进行化学蚀刻，在导电层中形成电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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