[发明专利]具有可转变的磁性的结构无效
| 申请号： | 01809121.0 | 申请日： | 2001-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1428017A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | M·C·K·维尔特施雷 | 申请（专利权）人： | 马科尼光学元件有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q15/10;H01Q15/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京,章社杲 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有可转变的磁性的结构(40)包括：一个电容元件(44)的阵列，其中每一个电容元件(44)包括一个低电阻导电路径并且是这样的，即在一个预定的频带内的电磁辐射(12)的磁分量(H)能够产生围绕所述路径流动并且穿过所述相关的元件(44)的电流(j)。分别选择所述元件(44)的尺寸和它们的间隔(a)以便能够响应于所接收的电磁辐射(12)来提供预定磁导率(μ)。每一个电容元件(44)包括多个堆叠的平面部分(42)，每一个平面部分(42)包括至少两个相互电绝缘的同心的螺旋导电元件或者轨迹(46、48)。在所述轨迹之间具有一种介电常数可转变的材料，诸如钛酸锶钡(BST)。通过在导电轨迹之间施加直流电势来转变该结构的磁性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 转变 磁性 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有可转变的磁性的结构包括：一个电容元件的阵列，该阵列响应于在一个预定频带内的入射电磁辐射表现一种预定的磁导率，其中每一个电容元件包括一个低电阻导电路径，并且是使得在所述预定的频带内的电磁辐射的磁分量能够产生围绕所述路径流动并且穿过所述相关的元件的电流，其中，所述元件的间隔小于在所述预定的频带内的电磁辐射的波长，分别选择所述元件的尺寸和它们的间隔以便能够响应于所接收的电磁辐射提供预定磁导率，并且每一个电容元件包括至少两个相互电绝缘的同心的螺旋导电元件并且在螺旋导电元件之间具有一种介电常数可转变的材料。
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