[发明专利]使用空气影像仿真器来评估掩模影像的方法有效
| 申请号： | 01805731.4 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1406347A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多氟·A·史宾斯 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种评估晶圆架构制成过程的方法，此方法包括真实掩模图案轮廓的提取，以及使用真实掩模图案以获得一种仿真晶圆架构(350′)的光刻制程的仿真。该真实掩模图案轮廓的提取可以包括，例如，将使用一种扫描式电子显微镜(SEM)(105)的真实掩模(107)成像。藉由仿真光刻制程，使用过去用于制造真实掩模图案的理想掩模图案设计，而可以同样地获得第二仿真晶圆架构(350″)。因此，可以藉由比较这两种仿真晶圆架构，而来评估掩模图案效应对所有晶圆邻近效应的相对贡献。于是可以使用这种信息，以产生光学邻近更正(OPC)掩模设计，该设计补偿了掩模图案误差，并且给予良好的晶圆性能。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 空气 影像 仿真器 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分析晶圆制造过程的方法，该方法包括：将至少一部份的掩模(107)成像，该掩模(107)将使用于晶圆架构形成制程；以及仿真使用数据的光刻制程，该数据由部份掩模的成像而接收或得到，藉此获得仿真的晶圆架构(350′)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01805731.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
