[发明专利]半导体激光器装置有效
| 申请号： | 01803534.5 | 申请日： | 2001-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1394372A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 小矶武;藤本毅 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器装置包括第一电流阻挡层及第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端小平面与对面的所述装置后端小平面被连接的方向延伸，且所述第二电流阻挡层被构成以便于横切于前端小平面附近的条形电流注入区域。所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层由相同层组成。因此，在具有简易构成结构的小平面附近提供有一个电流阻挡层结构，其对半导体激光器装置不造成损坏并且将性能恶化减至最小，从而可以获得高的小平面COD等级及长期连续工作的高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，其包括：有源层；n型波导层；p型波导层，所述有源层被插入在n型和p型波导层之间；n型和p型包覆层，其被构成以便于n型和p型波导层的外部被插入到其中间；第一电流阻挡层，其被构成以便于限定一个条形电流注入区域，所述区域沿着从此发射激光装置的前端小平面与对面的所述装置后端小平面被连接的方向延伸；以及第二电流阻挡层，其被构成以便于横切于前端小平面附近的条形电流注入区域；其中所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层由相同层组成，并且借助于电流注入区域与第一和第二电流阻挡层区域之间等效的折射率差，构成了折射率波导结构。
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