[实用新型]楔块式低副单向超越离合器无效
| 申请号: | 01248048.7 | 申请日: | 2001-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN2481900Y | 公开(公告)日: | 2002-03-13 |
| 发明(设计)人: | 曲秀全;王延年 | 申请(专利权)人: | 曲秀全;王延年 |
| 主分类号: | F16D41/02 | 分类号: | F16D41/02 |
| 代理公司: | 黑龙江省松花江专利事务所 | 代理人: | 毕志铭 |
| 地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | 楔块式低副单向超越离合器,它的外环3的内表面有楔形的凹槽3—1,楔块2位于凹槽中。拨销4与拨盘5固定连接,拨销插在楔块上的长孔2—1中。拨销通过楔块将外环撑起。内环1位于外环内。长孔的中心线C与楔块上弧面2—2的弦线D之间有一夹角a。楔紧的楔块2的弧形面与内环的外表面形成面接触。该离合器具有承载转矩大、使用寿命长、传动和逆止可靠性良好、结构简单、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 楔块式低副 单向 超越离合器 | ||
【主权项】:
1、楔块式低副单向超越离合器,它由内环(1)、楔块(2)、外环(3)、拨销(4)、拨盘(5)组成,其特征在于外环(3)的内表面有楔形的凹槽(3-1),楔块(2)位于凹槽(3-1)中,拨销(4)与拨盘(5)固定连接,拨销(4)插在楔块(2)上的长孔(2-1)中,拨销4通过楔块(2)将外环(3)撑起,内环(1)位于外环(3)内。
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