[实用新型]楔块式低副单向超越离合器无效

专利信息
申请号: 01248048.7 申请日: 2001-05-30
公开(公告)号: CN2481900Y 公开(公告)日: 2002-03-13
发明(设计)人: 曲秀全;王延年 申请(专利权)人: 曲秀全;王延年
主分类号: F16D41/02 分类号: F16D41/02
代理公司: 黑龙江省松花江专利事务所 代理人: 毕志铭
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 楔块式低副单向超越离合器,它的外环3的内表面有楔形的凹槽3—1,楔块2位于凹槽中。拨销4与拨盘5固定连接,拨销插在楔块上的长孔2—1中。拨销通过楔块将外环撑起。内环1位于外环内。长孔的中心线C与楔块上弧面2—2的弦线D之间有一夹角a。楔紧的楔块2的弧形面与内环的外表面形成面接触。该离合器具有承载转矩大、使用寿命长、传动和逆止可靠性良好、结构简单、成本低等优点。
搜索关键词: 楔块式低副 单向 超越离合器
【主权项】:
1、楔块式低副单向超越离合器,它由内环(1)、楔块(2)、外环(3)、拨销(4)、拨盘(5)组成,其特征在于外环(3)的内表面有楔形的凹槽(3-1),楔块(2)位于凹槽(3-1)中,拨销(4)与拨盘(5)固定连接,拨销(4)插在楔块(2)上的长孔(2-1)中,拨销4通过楔块(2)将外环(3)撑起,内环(1)位于外环(3)内。
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