[实用新型]楔块式低副单向超越离合器无效
| 申请号： | 01248048.7 | 申请日： | 2001-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN2481900Y | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 曲秀全;王延年 | 申请（专利权）人： | 曲秀全;王延年 |
| 主分类号： | F16D41/02 | 分类号： | F16D41/02 |
| 代理公司： | 黑龙江省松花江专利事务所 | 代理人： | 毕志铭 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 楔块式低副 单向 超越离合器 | ||
【权利要求书】：
1、楔块式低副单向超越离合器，它由内环(1)、楔块(2)、外环(3)、拨销(4)、拨盘(5)组成，其特征在于外环(3)的内表面有楔形的凹槽(3-1)，楔块(2)位于凹槽(3-1)中，拨销(4)与拨盘(5)固定连接，拨销(4)插在楔块(2)上的长孔(2-1)中，拨销4通过楔块(2)将外环(3)撑起，内环(1)位于外环(3)内。
2、根据权利要求1所述的楔块式低副单向超越离合器，其特征在于长孔(2-1)的中心线C与楔块(2)上弧面(2-2)的弦线D之间有一夹角a。
3、根据权利要求1所述的楔块式低副单向超越离合器，其特征在于楔紧的楔块(2)的弧形面(2-2)与内环(1)的外表面形成面接触，弧形面(2-2)的曲率半径与内环(1)外表面的半径相同。
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