[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 01143951.3 | 申请日： | 2001-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1362744A | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 小林源臣;野崎秀树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题是抑制PT－IGBT的漏电流的增加。形成满足d2/d1>1.5的n+型缓冲层8和p+型集电极层9。在这里d1是从p+型集电极层9的背面测定的n+型缓冲层8中的n型杂质的浓度变成为峰值的深度,d2是在比n+型缓冲层8的d1还深的区域中,n+型缓冲层8的n型杂质的活化率a成为0.3的最初深度。活化率a可以用(借助于SR分析得到的已经活化的n型杂质的浓度)/(借助于SIMS分析得到的n型杂质的浓度)来定义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：高电阻的第1导电类型基极层；在该第1导电类型基极层的表面上选择性地形成的第2导电类型基极层；在该第2导电类型基极层的表面上选择性地形成的第1导电类型发射极层；在被该第1导电类型发射极层和上述第1导电类型基极层夹在中间的上述第2导电类型基极层上边，中间存在着栅极绝缘膜地设置的栅极电极；在上述第1导电类型基极层的背面上中间存在着高杂质浓度的第1导电类型缓冲层设置的第2导电类型集电极层，而且，设从与上述第1导电类型缓冲层相反一侧的第2导电类型集电极层的表面测定的上述第1导电类型缓冲层中的第1导电类型杂质的峰值浓度位置为d1，设在比上述第1导电类型缓冲层的上述d1还深的区域内，用借助于SR分析得到的上述第1导电类型缓冲层中的已经活化的第1导电类型杂质的浓度除以借助于SIMS分析得到的上述第1导电类型缓冲层中的第1导电类型杂质的浓度定义的活化率成为规定值以下的最初深度为d2的情况下，满足d2/d1＞1.5的条件。
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