[发明专利]叠层陶瓷电子元件的制造方法和叠层陶瓷电子元件有效
| 申请号： | 01143193.8 | 申请日： | 2001-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1359116A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 德田博道;友廣俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01F41/00 | 分类号： | H01F41/00;H01F17/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种叠层陶瓷电子元件的制造方法和叠层陶瓷电子元件,其中制备第一转移片和第二转移片,在第一转移片中具有非磁性和磁性陶瓷区的复合生片用支承膜支承,在第二转移片中陶瓷生片用支承膜支承。本发明的方法还包括第一转移步骤,把陶瓷生片顺序转移到叠层平台上;第二转移步骤,转移复合生片;第三转移步骤,转移第二转移片的陶瓷生片;和制成叠层体的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种叠层陶瓷电子元件的制造方法，包括以下步骤：制备包括用第一支承膜支承的复合生片的第一转移片，所述复合生片具有导体和在除设置导体的区域外的区域中形成的第一和/或第二陶瓷区；制备包括用第二支承膜支承的陶瓷生片的第二转移片；第一转移步骤，把至少一个第二转移片的陶瓷生片转移到叠层平台上；第二转移步骤，把至少一个第一转移片的复合生片转移到预先叠置的至少一个陶瓷生片上；第三转移步骤，把至少一个第二转移片的陶瓷生片转移到预先叠置的复合生片上；烧结经第一、第二和第三转移步骤制成的叠层体。
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