[发明专利]接触孔洞光刻的辅助设计方法有效
| 申请号： | 01140916.9 | 申请日： | 2001-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1411032A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吴元薰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯,肖鹂 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种接触孔洞光刻的辅助设计方法，包括下列步骤决定曝光机光源的曝光波长；通过曝光机的相扰度、制作工艺整合参数与数值光圈决定最小解像线宽；将上述最小解像线宽通过图案缩小比例还原光掩模上的最小线宽；以及在光掩模上，利用小于上述最小线宽的线型图案连接光掩模中的多个接触孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 孔洞 光刻 辅助设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔洞光刻的辅助设计方法，包括下列步骤：决定曝光机光源的曝光波长；通过曝光机的相扰度、制作工艺整合参数与数值光圈决定最小解像线宽；将上述最小解像线宽通过图案缩小比例还原光掩模上的最小线宽；以及在光掩模上，利用小于上述最小线宽的线型图案连接光掩模中的多个接触孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
