[发明专利]成膜方法和成膜装置无效
申请号: | 01140673.9 | 申请日: | 2001-09-20 |
公开(公告)号: | CN1347137A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 江间达彦;伊藤信一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴102和使该保护膜滴液喷嘴102沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板110上的使被处理基板110沿x方向移动的被处理基板移动台构成。液状膜干燥部分由吸嘴101和与吸嘴101相连的真空泵103构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种成膜方法,包括液状膜形成工艺和干燥工艺,其中的液状膜形成工艺是与被处理基板相对,在基板上调整至一定量展开,从滴液喷嘴滴下在溶剂中添加了固形成分的药液,使前述滴液喷嘴与前述被处理基板相对移动,在前述被处理基板整个面上形成液状膜的工艺,其中的干燥工艺是为了除去前述液状膜中的溶剂形成涂膜的工艺,其中,前述干燥工艺的进行是在前述被处理基板上与该液状膜表面不接触的距离配置吸嘴,该吸嘴与该被处理基板相对移动,同时前述吸嘴正下方的溶剂氛围气从该吸嘴的吸气口被吸走。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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