[发明专利]表面声波器件和用于它的压电基片

摘要

公开了一种用于中频的紧凑和宽带表面声波器件。也公开了一种用在表面声波器件中具有高机电耦合因数和低SAW速度的压电基片。表面声波器件由一个压电基片1和形成在压电基片1上的叉指状电极2、2构成。压电基片1具有一种Ca3Ga2Ge4O14的晶体结构,并且由化学式Sr3NbGa3Si2O14表示。从单晶切出压电基片1的切割角、和按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示的在压电基片上的表面声波的传播方向,在由－5°≤φ≤15°、0°≤θ≤180°、及－50°≤ψ≤50°表示的一个第一区域和由15°≤φ≤30°、0°≤θ≤180°、及－40°≤ψ≤40°表示的一个第二区域之一中。

主权项

1.一种表面声波器件，包括一个压电基片和形成在压电基片上的叉指状电极，其中：压电基片具有一种Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，并且由化学式Sr3NbGa3Si2O14表示；并且从单晶切出压电基片的切割角、和按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示的在压电基片上的表面声波的传播方向，在由-5°≤φ≤15°、0°≤θ≤180°、及-50°≤ψ≤50°表示的一个第一区域和由15°≤φ≤30°、0°≤θ≤180°、及-40°≤ψ≤40°表示的一个第二区域之一中。