[发明专利]畴壁位移磁光记录介质、及用于其的复制方法和设备无效
| 申请号： | 01137436.5 | 申请日： | 2001-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1355527A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | 广木知之 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/10 | 分类号： | G11B11/10;G11B7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁光记录介质,其中在通过根据由光束形成的且具有最大温度Tr的温度分布移动畴壁而放大记录磁畴的同时,复制信息。该记录介质包括一个复制层,其中移动畴壁一个记录层,用来保持与信息相对应的一个记录磁畴;及一个截断层,布置在复制层与记录层之间,并且具有比复制层和记录层低的居里温度。记录介质满足如下条件(Tr－RT)/(Tc2－RT)≥1.8其中Tc2所述截断层的居里温度,以及RT室温。 | ||
| 搜索关键词： | 位移 记录 介质 用于 复制 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁光记录介质，其中在通过根据由光束形成的且具有最大温度Tr的温度分布移动畴壁而放大记录磁畴的同时，复制信息，该记录介质包括：一个复制层，其中移动畴壁；一个记录层，用来保持与信息相对应的一个记录磁畴；及一个截断层，布置在所述复制层与所述记录层之间，并且具有比所述复制层和所述记录层都低的居里温度，其中记录介质满足如下条件：(Tr-RT)/(Tc2-RT)≥1.8其中Tc2：所述截断层的居里温度，以及RT：室温。
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