[发明专利]发光器件、用于制造发光器件的衬底、以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 01137289.3 | 申请日： | 2001-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1344037A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 柴田智彦;浅井圭一郎;长井晃余;田中光浩 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,罗才希 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c=1,a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z=1,x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 用于 制造 衬底 以及 它们 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括衬底、在衬底上形成的组成为AlaGabIncN(a+b+c＝1，a、b、c≥0)的缓冲层和在缓冲层之上外延生长的组成为AlxGayInzN(x+y+z＝1，x、y、z≥0)的多层薄膜；缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量；缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。
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