[发明专利]电子元件及制造该部件的方法无效
| 申请号： | 01134365.6 | 申请日： | 2001-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1351359A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 浜谷淳一;大岛序人 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01F17/04 | 分类号： | H01F17/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子元件,包括由镶嵌在铸模体中的金属制成的内导体,铸模体是把铁氧体树脂铸成预定形状形成的,以至至少部分内导体暴露在铸模体的表面上,连接到内导体的外电极提供在包括内导体的暴露部分的铸模体的表面上的预定区域,在钯以0.5至1.5μg/cm2的沉积密度沉积在该区域,在该区域内导体没有暴露。钯以0.05至0.3μg/cm2的沉积密度沉积暴露在铸模体表面上的内导体,通过化学镀膜,外电极通过在铸模体的表面上形成金属膜的处理而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 制造 部件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，包括：由镶嵌在铸模体中的金属制成的内导体，铸模体是把包含树脂或橡胶作为主要成分的绝缘材料铸成预定形状形成的，以至至少部分内导体暴露在铸模体的表面上；外电极，其电连接到内导体并提供在包括内导体被暴露的区域的铸模体的表面上的预定区域，其中，钯以0.5至1.5μg/cm2的沉积密度沉积在铸模体的表面上除内导体暴露的区域之外的形成外电极的区域；钯以0.05至0.3μg/cm2的沉积密度沉积在暴露在铸模体表面上的内导体上，以及金属膜，其至少构成部分外电极并且是在沉积钯的区域中由化学镀膜法形成。
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