[发明专利]宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法无效
| 申请号： | 01128775.6 | 申请日： | 2001-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1160565C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 袁战恒;武明堂 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/407 | 分类号： | G01N27/407;F23D14/60;F02D41/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法，根据N型过渡金属氧化物半导体在氧化气氛下晶界势垒高度的提高，还原气氛下晶界势垒高度的降低，采用金红石型TiO2结构对体内进行N型掺杂，晶界进行P型复合扩散。使样品在氧化气氛下，电导急剧降低，还原气氛下，急剧增加。采用厚膜工艺使样品在250℃～800℃范围内，使高温端氧化态下最低阻值和低温端还原态下的最高阻值出现1～3个数量级的差别。采用本制备方法使传感器性能大幅提高、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 宽温窄阻带厚膜空 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、宽温窄阻带厚膜空/燃比传感器的制备方法，其特征在于： 1)将能合成(TiSnNb)O2基的金红石结构的半导体瓷粉试剂研细制坯后， 置于1000℃～1350℃灼烧30分钟～4小时； 2)将灼烧后的坯体细粉化后和0～20％wt中温玻璃粉混合，制成印刷用敏 感浆料； 3)在氧化铝基片上丝网印刷成叉指电极后，在800℃～1000℃灼烧20分 钟～1小时； 4)再用丝网印刷敏感浆料后，置于1000℃～1350℃灼烧1～2小时，将冷 却速度控制在每分钟120℃～180℃，使样品冷却，制成敏感元件； 5)再用铂浆料将铂丝和敏感元件的叉指电极引出端溶接，置于800℃ ～1000℃灼烧10～20分钟，使样品自然冷却； 6)在敏感元件背面丝网印刷加热器浆料，并置于650℃～850℃灼烧15～45 分钟； 7)浸渍或涂敷10％～50％的催化剂盐溶液，在700℃～1000℃灼烧30分钟 ～2小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01128775.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电化学传感器
- 下一篇：集成芯片毛细管电泳电化学检测装置及其制作方法
