[发明专利]成膜装置无效
| 申请号： | 01119694.7 | 申请日： | 2001-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1325129A | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | 池上浩;早坂伸夫;伊藤信一;奥村胜弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种成膜装置,备有药液喷出喷嘴,对被处理衬底连续地喷出药液;气体喷出部,配置在该药液喷嘴下方,对从该喷嘴喷出的药液吹气,通过该气体的压力使药液的轨迹改变;药液回收部,相对于喷出的药液与所述气体喷出部相隔配置,回收由该喷出部使轨迹改变的药液;和移动部,使所述液体喷出喷嘴和所述被处理衬底相对移动。所述气体喷出部备有激光振荡器,使激光振荡;和气体发生膜,由所述振荡器照射的激光加热气化产生所述气体。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
1．一种成膜装置，具有：对被处理衬底连续喷出药液的药液喷嘴；气体喷出部，其配置在该药液喷嘴的下方，对该喷嘴喷出的药液吹气，利用该气体压力改变药液轨迹；药液回收部，其相对于喷出的药液与所述气体喷出部相隔配置，回收利用该气体喷出部改变轨迹的药液；和使所述液体喷嘴和所述被处理衬底作相对移动的移动部，所述气体喷出部具有：使脉冲激光振荡的激光振荡器，和利用所述激光振荡器照射的激光加热气化产生所述气体的气体发生膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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