[发明专利]太阳能电池无效

专利信息
申请号: 01119288.7 申请日: 2001-04-06
公开(公告)号: CN1317835A 公开(公告)日: 2001-10-17
发明(设计)人: G·斯特罗布尔;K·藤特舍尔;P·厄贝勒 申请(专利权)人: 太阳能利用股份有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 联邦德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种太阳能电池(10),包括具有n+p结的半导体体区域(12)。为使太阳能电池具有优良的EOL特性,本发明的太阳能电池(10)包括不同厚度(d1、d2)的第一和第二区域(28、30、32、34、48),第一区域(28、30、48)形成太阳能电池的支撑结构,第二区域(32、34)比第一区域的厚度小很多。
搜索关键词: 太阳能电池
【主权项】:
1.一种太阳能电池(10),包括半导体衬底,其中电荷载流子可以通过入射辐射能量产生,所说电荷载流子能够被分离,然后经由导电端子(22、24、44)执行断开,太阳能电池具体包括具有n+p结的半导体体区(12),该半导体体区最好为在它的背面上具有背面电场(BSF),如果必要,局部地形成背面电场;所说太阳能电池包括不同厚度(d1、d2)的第一和第二区域(28、30、32、34、48),所说第一区域(28、30、48)形成太阳能电池的支撑结构,而所说第二区域(32、34)具有比第一区域小得多的厚度,其中:该太阳能电池(10)具有开槽(36、38),该开槽从其背面(35)延伸,在该背面形成第二区域并且由第一区域部分(28、30)环绕限定,第一区域(28、30、48)具有厚度d1,这里d1≥80μm,第二区域(32、34)具有厚度d2、这里20μm≤d2≤80μm、第一区域的厚度d1与第二区域的厚度d2之比为d1/d2≥1.2。
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