[发明专利]离子镀设备和离子镀方法无效

专利信息
申请号: 01119272.0 申请日: 2001-03-21
公开(公告)号: CN1327083A 公开(公告)日: 2001-12-19
发明(设计)人: 小泉康浩;能势功一;床本勋 申请(专利权)人: 新明和工业株式会社
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/32
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 魏晓刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在离子镀中,基片被容放在设置在真空腔内的基片座上,在真空腔内产生等离子体并形成薄膜,使用一个电源单元,通过基片座向真空腔内施加一个周期为1kHz~1GHz的偏电压,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有恒定正电压值并输出预定时间的脉冲输出。
搜索关键词: 离子镀 设备 方法
【主权项】:
1.一种离子镀设备,包括:一个能够被抽真空的真空腔;一个安置在真空腔内以便容放基片的基片座;一个电源单元,它通过基片座向真空腔内提供用以将要形成在基片上的薄膜材料变成等离子体的能量并利用等离子体在基片上沉淀薄膜;电源单元包括一个用于输出偏电压的偏压电源,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有正电压值并输出预定时间的脉冲输出,所述偏电压的周期被设定为1kHz~1GHz。
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