[发明专利]离子镀设备和离子镀方法无效

专利信息
申请号: 01119272.0 申请日: 2001-03-21
公开(公告)号: CN1327083A 公开(公告)日: 2001-12-19
发明(设计)人: 小泉康浩;能势功一;床本勋 申请(专利权)人: 新明和工业株式会社
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/32
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 魏晓刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子镀 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种离子镀设备,包括:

一个能够被抽真空的真空腔;

一个安置在真空腔内以便容放基片的基片座;

一个电源单元,它通过基片座向真空腔内提供用以将要形成在基片上的薄膜材料变成等离子体的能量并利用等离子体在基片上沉淀薄膜;

电源单元包括一个用于输出偏电压的偏压电源,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有正电压值并输出预定时间的脉冲输出,所述偏电压的周期被设定为1kHz~1GHz。

2.一种离子镀设备,它包括:

一个能够被抽真空的真空腔;

一个安置在真空腔内以便容放基片的基片座;

一电源单元,它通过基片座向真空腔内提供用以将要形成在基片上的薄膜材料变成等离子体的能量并利用等离子体在基片上沉淀薄膜;

电源单元包括一个用于输出偏电压的偏压电源,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有正电压值并输出预定时间的脉冲输出,所述偏电压的周期被设定为1kHz~1GHz,

脉冲偏压的预定时间与偏电压的周期之比值为40%或更少。

3.一种离子镀设备,它包括:

一个能够被抽成真空的真空腔;

一安置在真空腔内以便容放基片的基片座;

一个电源单元,它通过基片座向真空腔内提供用以将要形成在基片上的薄膜材料变成等离子体的能量并利用等离子体在基片上沉淀薄膜;

电源单元包括一个用于输出偏电压的偏压电源,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有正电压值并输出预定时间的脉冲输出,所述偏电压的周期被设定为1kHz~1GHz,

脉冲偏压的输出为一个方波脉冲,所述方波脉冲具有预定时间的脉冲宽度和预定电压值。

4.一种离子镀设备,它包括:

一个能够被抽成真的真空腔;

一个安置在真空腔内以便容放基片的基片座;

一个电源单元,它通过基片座向真空腔内提供用以将要形成在基片上的薄膜材料变成等离子体的能量并利用等离子体在基片上沉淀薄膜;

电源单元包括一个用于输出偏电压的偏压电源,所述偏电压由一个具有预定负电压值并输出预定时间的负偏压成分和一个脉冲偏压成分组成,所述脉冲偏压成分对应于一个具有正电压值并输出预定时间的脉冲输出,所述偏电压的周期被设定为11kHz~1GHz,

脉冲偏压的预定时间与偏电压的周期之比值为40%或更少

脉冲偏压的输出为一个方波脉冲,所述方波脉冲具有预定时间的脉冲宽度和预定电压值。

5.一种根据权利要求1~4之一的离子镀设备,其特征在于:

偏压电源单元包括一个用于生成一个偏电压的基本波形的波形发生器和一个偏压电源,基于波形发生器所输出的基本波形,所述偏压电源生成一个具有恒定值的偏电压。

6.一种根据权利要求1~4之一的离子镀设备,其特征在于:

偏压电源单元包括一个用于形成负偏压的直流电源和一个用于形成脉冲偏压的脉冲电源。

7.一种根据权利要求1~4之一的离子镀设备,其特征在于:

偏压电源单元包括一个用于生成一个偏电压的基本波形的波形发生器和一个偏压电源,基于波形发生器所输出的基本波形,所述偏压电源生成一个具有恒定值的偏电压,还包括:

一个用于输出射频能的射频电源单元;

一个高通滤波器,位于射频电源单元和基片座之间以使射频电源单元的输出通过高通滤波器传向基片座并阻止偏压电源单元的输出进入射频电源单元;

一个第一低通滤波器,位于偏压电源单元和基片座之间以使偏压电源单元的输出通过低通滤波器传向基片座并阻止射频电源的输出进入偏压电源单元。

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