[发明专利]硅绝缘体结构半导体器件无效
| 申请号： | 01117888.4 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1316781A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | A·O·阿丹 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种SOI结构的半导体器件，包括浮置状态下的表面半导体层，该层叠置于掩埋绝缘膜上，以便构成SOI衬底；第二导电类型的源/漏区，它们形成于所说表面半导体层中；位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区；通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极；其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种SOI结构的半导体器件，包括：浮置状态下的表面半导体层，该层叠置于掩埋绝缘膜上，以便构成SOI衬底；第二导电类型的源/漏区，它们形成于所说表面半导体层中；位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区；和通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极；其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。
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