[发明专利]铁电存储装置的操作方法无效
| 申请号： | 01117877.9 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1156853C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | H·赫尼格施米德;T·雷尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及以VDD/2模式工作的铁电存储装置的操作方法，该存储装置具有多个存储单元，每个存储单元具有至少一个选择晶体管、一个带上及下(BE，TE)电极的存储器电容器(C)及一个用其源-漏极区与存储器电容器并联的短路晶体管(SH)，该短路晶体管在一个读或写过程后在备用阶段(STB)时被控制，及在此情况下存储器电容器(C)的电极(BE，TE)被短路，在读或写过程中存储单元通过配置的各个字导线(WL0，WLI，…)及配置的、在一个预充电过程阶段(PRE)中预充电的各个位导(BL)线进行控制，其特征为，备用阶段(STB)在时间上与预充电阶段(PRE)合并，及在此情况下位导线(BL)具有与存储器电容器(C)的两个电极(BE，TE)不同的另外电位。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种以VDD/2模式工作的铁电存储装置的操作方法，该存储装置具有多个存储单元，每个存储单元具有至少一个选择晶体管、一个带上及下(BE，TE)电极的存储器电容器(C)及一个用其源-漏极区与存储器电容器并联的短路晶体管(SH)，该短路晶体管在一个读或写过程后在备用阶段(STB)时被控制，及在此情况下存储器电容器(C)的电极(BE，TE)被短路，在读或写过程中存储单元通过配置的各个字线(WL0，WLI，…)及配置的、在一个预充电过程阶段(PRE)中预充电的各个位线(BL)进行控制，其特征为，备用阶段(STB)在时间上与预充电阶段(PRE)合并，及在此情况下位线(BL)具有与存储器电容器(C)的两个电极(BE，TE)不同的另外电位。
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