[发明专利]光电传感器阵列和制造该光电传感器阵列的方法无效

专利信息
申请号: 01116840.4 申请日: 2001-04-12
公开(公告)号: CN1317761A 公开(公告)日: 2001-10-17
发明(设计)人: 森川茂;佐佐木诚 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;H01L31/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蹇炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 光电传感器阵列包括在预定方向上彼此分开的多个光电转换元件,后者包括具有入射有源区的半导体层,激励光入射到其上;分别在半导体层两端面上提供的源极和漏极;通过第一栅绝缘膜在半导体层之下提供的第一栅极。第二栅极经第二栅绝缘膜在半导体层之上提供。源极端子与光电转换元件的源极连接,漏极端子与光电转换元件的漏极连接,第一栅极端子通常与光电转换元件的第一栅极连接,第二栅极端子与光电转换元件的第二栅极连接。
搜索关键词: 光电 传感器 阵列 制造 方法
【主权项】:
1.一种光电传感器阵列包括:在预定方向上彼此分开排列的多个光电转换元件,每个光电转换元件包括:具有入射有源区的半导体层,激励光入射到该有源区上;分别在半导体层的两个端提供的源极-漏极;通过第一栅绝缘膜在半导体层之下提供的第一栅极;和通过第二栅绝缘膜在半导体层之上提供的第二栅极;源极端子,通常与光电转换元件的源极连接;漏极端子,通常与光电转换元件的漏极连接;第一栅极端子,通常与光电转换元件的第一栅极连接;和第二栅极端子,通常与光电转换元件的第二栅极连接,第一栅极和第二栅极中的至少之一在由第一透明电极层构成的光电转换元件上提供,并且源极端子、漏极端子和第一栅极端子中的至少之一具有第一透明电极层。
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