[发明专利]预清洗室的微粒防止方法有效
| 申请号： | 01110991.2 | 申请日： | 2001-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1162893C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郭家铭;黄昭元 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C14/10;C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种预清洗室的微粒防止方法，包括一二氧化硅材提供步骤、及一二氧化硅溅射步骤，其是通过溅射二氧化硅材方式来产生二氧化硅，并使二氧化硅涂布于一已形成于预清洗室的钟型缸上的硅化物层上，以避免其硅化物快速剥离，据以达到延长预清洗室的钟型缸使用时间的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 微粒 防止 方法 | ||
【主权项】：
1.一种预清洗室的微粒防止方法，包括：一二氧化硅材提供步骤，提供一二氧化硅材于该预清洗室中；及一二氧化硅溅射步骤，于该预清洗室中产生等离子体并溅射该二氧化硅材，而使该二氧化硅材的二氧化硅溅射于该预清洗室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
