[发明专利]缩小接触窗开口尺寸的微影工艺无效
| 申请号： | 01110318.3 | 申请日： | 2001-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1379445A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王立铭;蔡高财 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种缩小接触窗开口尺寸的微影工艺。是利用两个不同线/间距光罩的线形图案,在重复曝光后相互交错垂直,获得相互组合而成为接触窗开口图案,而得以在负光阻层上形成所需的接触窗开口图形。由于本方法可精确地控制线/间距光罩的线距宽,因而可以降低接触窗开口的关键尺寸。所以,本发明的缩小接触窗开口尺寸的微影工艺可以避免组件集成度增加,在工艺上所造成的困难度与限制。 | ||
| 搜索关键词： | 缩小 接触 开口 尺寸 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种缩小接触窗开口尺寸的微影工艺，包括涂布光阻于芯片上、曝光形成接触窗开口图案、显影接触窗图案的光阻，其特征在于：该涂布光阻是负光阻；曝光包括以下过程：①曝光一第一线/间距光罩，以将该第一线/间距光罩的一第一图案投影在该负光阻上；②曝光一第二线/间距光罩，以将该第二线/间距光罩的一第二图案投影在形成有该第一图案的该负光阻上，其中该第一图案与该第二图案于该负光阻上共同组成一接触窗开口图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01110318.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：程序控制的分配器
- 下一篇：生产两性离子聚胺的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
